Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 With built-in gate-source resistor: R = 1 MΩ (typ.) GS
 2.5 V gate drive 
 Low gate threshold voltage: V = 0.7~1.3 V th
 Small package  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 20 V DSGate-source voltage V 10 V GSSDC drain current I 100 mA DDrain power dissipation P 100 mW D Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 
55~150 °C  stg   JEDEC ―  JEITA ―  TOSHIBA 2-2H1B Weight: 2.4 mg (typ.) Marking  Equivalent Circuit      1 2003-03-28 SSM3K04FS

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications