Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Applications    
 2.5 V gate drive 
 High input impedance 
 Low gate threshold voltage: V = 0.7~1.3 V th
 Small package  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 20 V DSGate-source voltage V 10 V GSSDC drain current I 100 mA DDrain power dissipation P 100 mW D  Channel temperature T 150 °C ch JEDEC ― Storage temperature range T 
55~150 °C  stg JEITA ―  TOSHIBA 2-2HA1B Weight: 2.3 mg (typ.) Marking  Equivalent Circuit     1 2003-03-27 SSM3K03FE

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications