Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 Small package 
 Low on resistance : R = 200 mΩ (max) (V = 4 V) on GS  : R = 250 mΩ (max) (V = 2.5 V) on GS
 Low gate threshold voltage: V = 0.6~1.1 V (V = 3 V, I = 0.1 mA) th DS D   Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 30 V DSGate-source voltage V 
10 V GSSDC I 1.0 DDrain current A Pulse I 2.0 DPDrain power dissipation P 200 mW  D JEDEC TO-236MOD Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T 55~150 °C stg JEITA SC-59  TOSHIBA 2-3F1F  Weight: 0.012 g (typ.)  Marking  Equivalent Circuit      Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2003-03-27 SSM3K02F

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications SSM3K02F  TOSHIBA Field Effect Transistor  Silicon N Channel MOS Type SSM3K02F   High Speed Switching

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications