Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 Small Package 
 Low on Resistance : R = 120 mΩ (max) (@V = 4 V) on GS  : R = 150 mΩ (max) (@V = 2.5 V) on GS
 Low Gate Threshold Voltage: V = 0.6~1.1 V th    (@V = 3 V, I = 0.1 mA) DS D Maximum Ratings (Ta 



 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 30 V DSGate-Source voltage V 
10 V GSSDC I 3.2 DDrain current A IDP Pulse 6.4 (Note2)PD Drain power dissipation (Ta  25C) 1250 mW (Note1) Channel temperature T 150 C chJEDEC ― Storage temperature range T 55~150 C stgJEITA ― Note1: Mounted on FR4 board 2 TOSHIBA 2-3S1A  (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 645 mm , t  10 s) Weight: 10 mg (typ.) Note2: The pulse width limited by max channel temperature.  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. The Channel-to-Ambient thermal resistance R and the drain power dissipation P vary according to th (ch-a) Dthe board material, board area, board thickness and pad area, and are also affected by the environment in which the product is used. When using this device, please take heat dissipation fully into account.  1 2002-01-24 SSM3K01T Marking Equivalent Circuit  3 3K W 1 2 12

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications