Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitGate leakage current I V = ±10 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±10 μA GSS GS DSDrain–source breakdown voltage V I = -0.1 mA, V = 0 V -20 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cutoff current I V = -20 V, V = 0 V ⎯ ⎯ -1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.4 ⎯ -1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = -3 V, I = -50 mA      (Note 1) 77 ⎯ ⎯ mS fs DS DI = -50 mA, V = -4 V      (Note 1) ⎯ 4.3 8 D GSI = -50 mA, V = -2.5 V    (Note 1) ⎯ 5.6 11 D GSDrain–source ON-resistance R Ω DS (ON)I = -5 mA, V = -1.5 V     (Note 1) ⎯ 8.2 22 D GSI = -2 mA, V = -1.2 V     (Note 1) ⎯ 11 44 D GSInput capacitance C ⎯ 12.2 ⎯ issReverse transfer capacitance C V = -3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 6.5 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 10.4 ⎯ ossTurn-on time t ⎯ 175 ⎯ on V = -3 V, I = -50 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to -2.5 V GSTurn-off time t ⎯ 251 ⎯ offDrain–source forward voltage V I = 100 mA, V = 0 V     (Note 1) ⎯ 0.83 V DSF D GS 1.2 Note 1: Pulse test Switching Time Test Circuit (a) Test Circuit (b) V IN 0 V10%  OUT  0 IN 90%  −2.5 V −2.5V R L VDS (ON)90% (c) V   10 μs OUTV DD V = -3 V 10% DD V DDDuty ≤ 1% t t   r f: t , t < 5 ns VIN r f (Z = 50 Ω) outt t on off Common Source  Ta = 25°C   Usage Considerations Let V be the voltage applied between gate and source that causes the drain current (I ) to be low (−1 mA for the th D SSM3J35FS). Then, for normal switching operation, V must be higher than V and V must be lower than GS(on) th, GS(off)V This relationship can be expressed as: V < V < V th. GS(off) th GS(on).Take this into consideration when using the device.  Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials. 2 2014-03-01 50Ω SSM3J35FS      I – V I – V D DS D GS -250 -1000Common SourceCommon Source  V = -3V DSTa = 25°C  -10V -4V -200 -100 -2.5V  Ta = 100°C-150 -10 -1.8V 25°C −25°C-100 -1 -1.5V -50 -0.1V =-1.2V GS  -0.010 0 -1 -2 -30 -1 -1.5 -2-0.5   Drain–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) DS GS       R – V R – V DS (ON) GS DS (ON) GS 20 15Common Source Common Source  I = -5 mA I = -50 mA D D  15  10  10  25℃ 25℃  Ta=100℃5Ta=100℃ 5  -25℃-25℃  0 00 -2 -4 -6 -8 -10 0 -2 -4 -6 -8 -10 Gate–source voltage  V  (V) Gate–source voltage  V  (V) GS GS       R – Ta  R – I DS (ON)DS (ON) D 20 20Common SourceCommon Source Ta = 25°C  V =−1.2 V，ID=-2mAGS 15 15 -1.5 V，-5mAV = -1.2 V GS  10 10-1.5 V -2.5 V，-50mA  -2.5 V -4V，-50mA 5 5 -4 V  0  0-1 -10 -100 -1000−50 050 150 100  Drain current  I  (mA) DAmbient temperature  Ta  (°C)    3 2014-03-01  Drain–source ON-resistance Drain–source ON-resistance Drain current  I  (mA) DR  (Ω) DS (ON)R  (Ω) DS (ON)Drain–source ON-resistance  Drain–source ON-resistance R  (Ω) Drain current  I  (mA) DS (ON) DR  (Ω) DS (ON)SSM3J35FS     V – Ta ⎪Y ⎪ – I th fs D -1 1000Common Source I = -1 mA D V = -3 V DS-0.8   100-0.6    -0.4  10 -0.2 Common Source  V = -3 V DS Ta = 25°C  0 1-1 -10 -100 -1000−50 50 0 100 150 Ambient temperature  Ta  (°C) Drain current  I  (mA) D        I – V C – V DR DS DS1000 100 Common Source  V = 0 V GS  100 D  G  I DR10  S 10C   iss25°C  1 C oss Ta=100℃ C rss Common Source 0.1 -25°C V = 0 V  GSf = 1 MHz  Ta = 25°C 0.01   1 -0.1 -1 -10 -1000 0.2 0.6 0.4 0.8 1 1.2 1.4 Drain–source voltage  V  (V) Drain–source voltage  V  (V) DS DS      t – I P – Ta  D D10000 250 Common Source V = -3 V DDV = 0 to -2.5 VGS 200Ta = 25°C t  off1000  150 t f  100t 100 on  t r 50  10 0 -0.1 -1 -10 -100 -10000 20 40 60 80 100 120 140 160 Drain current  I  (mA) D Ambient temperature  Ta  (°C)   4 2014-03-01    Switching time  t  (ns) Drain reverse current  I  (mA) Gate threshold voltage  V  (V) DR th   Drain Power Dissipation  P  (mW) DCapacitance  C  (pF) Forward transfer admittance  ⎪Y ⎪  (mS) fsSSM3J35FS RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET