Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) ２３Characteristic Symbol Rating Unit V -30 V Drain-source voltage DSS V ±12 V Gate-source voltage GSS I (Note 1) -5.6 DC D  Drain current A I (Note 1) -22.4 Pulse DP  P (Note 2) 700 D Power dissipation mW 1: Gate  t = 10 s 1250 2: Source T 150 °C Channel temperature  chTSM 3: Drain T -55 to 150 °C Storage temperature range  stgNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEDEC ― temperature/current/voltage and the significant change in JEITA ― temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. TOSHIBA 2-3S1A operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

Small-signal MOSFET