Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) ２３Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V -20 V DSS Gate-Source voltage V ±8 V GSS DC I (Note 1) -5.2 D  Drain current A Pulse I (Note 1) -10.4 DP P (Note 2) 700 D Drain power dissipation mW  t=10s 1250 TSM  1: Gate Channel temperature T 150 °C ch 2: Source Storage temperature range T −55 to150 °C stg 3: Drain  Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEDEC ― temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the JEITA ― reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute TOSHIBA 2-3S1A maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Weight: 10mg (typ.) Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  Note 1: The junction temperature should not exceed 150°C during use. 2Note 2: Mounted on an FR4 board. (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm )   Marking Equivalent Circuit (top view) 3 3 KFA 1 2 1 2Start of commercial production2008-101 2014-03-01 2.9±0.21.9±0.20.7±0.050.950.950～0.10.150.4±0.10.16±0.05SSM3J321T

Small-signal MOSFET