Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V -20 V DSS Gate-Source voltage V ±8 V GSS DC I (Note 1) -5.0 D  Drain current A Pulse I (Note 1) -10 DP  1: Gate P (Note 2) 700 D 2: Source Drain power dissipation mW  t = 10 s 1250 TSM 3: Drain Channel temperature T 150 °C ch Storage temperature range T −55 to 150 °C stg JEDEC ― Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEITA ― temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the TOSHIBA 2-3S1A reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute Weight: 10 mg (typ.) maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data  (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc). Note 1: The junction temperature should not exceed 150°C during use. 2Note 2: Mounted on an FR4 board. (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm )       Marking                Equivalent Circuit (top view)  3 3    KDP  1 2 1 2Start of commercial production2008-091 2014-03-01 2.9±0.21.9±0.20.7±0.050.950.950～0.10.150.4±0.10.16±0.05SSM3J307T

Small-signal MOSFET