Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition MIN TYP. MAXUNITGate leakage current I V = ±16 V, V = 0 V ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSDrain-Source breakdown voltage V I = − 0.1 mA, V = 0 V −30 ⎯ ⎯ V (BR) DSS D GSDrain cut-off current I V = − 30 V, V = 0 V ⎯ ⎯ −1 μA DSS DS GSGate threshold voltage V V = − 3 V, I = − 0.1 mA −1.1 ⎯ −1.7 V th DS DForward transfer admittance ⎪Y ⎪ V = − 3 V, I = − 10 mA (Note 2) 20 ⎯ ⎯ mSfs DS DI = − 10 mA, V = − 4 V (Note 2) ⎯ 8 12 D GSDrain-Source on-resistance R Ω DS (ON)I = − 1 mA, V = − 2.5 V (Note 2) ⎯ 14 32 D GSInput capacitance C ⎯ 9.1 ⎯ pF issReverse transfer capacitance C V = − 3 V, V = 0 V, f = 1 MHz ⎯ 3.5 ⎯ pF rss DS GSOutput capacitance C ⎯ 8.6 ⎯ pF oss⎯ ⎯ Turn-on time t 65 on V = − 5 V, I = − 10 mA, DD DSwitching time ns V = 0 to −5 V GS ⎯ ⎯ Turn-off time t 175 offNote 2: Pulse Test    Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit (b) V IN0 VOUT  90% 0 IN   10% −5V R  −5 VL 10 μs V DD (c) V VOUT DS (ON) 90%  V = −5 V DD Duty ≤ 1% 10%  V : t , t < 5 ns V IN r fDDt t  r f(Z = 50 Ω)  outCommon Source  t t on offTa = 25°C   Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = -100 μA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Please take this into consideration when using the device. 2 2014-03-01 50 Ω SSM3J15FV  I - V I - V D GSD DS-250 -1000Common Source Common SourceTa=25°C V =-3V DS-5Pulse Test -10 -7 Pulse Test -200 -100-4Ta=100°C-150 -10-3.325°C-100 -1-3.0-25°C -2.7-50 -0.1-2.5V =-2.3VGS0 -0.010 -0.5 -1 -1.5 -2 0 -1 -2 -3 -4 -5Drain-Source Voltage V (V) DS Gate-Source Voltage V (V) GSR - I R - V DS(ON) GSDS(ON) D2040 Common Source Common Source Ta=25°C I = -1mA 18DPulse Test  Pulse Test 1630 1412Ta=100°C 20 1025°C8V =-2.5V GS 610 4-4V 2-25°C0 0-1 -10 -100 -10000 -2 -4 -6 -8 -10Drain Current I (mA) D Gate-Source Voltage V (V) GSR - Ta DS(ON) Vth - Ta 30 Common Source -2Common Source Pulse Test V =-3V -1.8 DSI =-0.1mA D-1.6-1.420 V =-2.5V,I =-1mA GS D-1.2-1-0.810 -0.6-4V,-10mA -0.4-0.20 0-25 0 25 50 75 100 125 150-25 0 25 50 75 100 125 150Ambient temperature Ta(°C) Ambient temperature Ta(°C)3 2014-03-01 Drain-Source on resistance R (Ω) Drain Current I (mA) Drain-Source on resistance R (Ω) DS(ON) DDS(ON)Drain-Source on resistance RDS(ON) (Ω) Drain-Source on resistance RDS(ON) (Ω) Drain Current I (mA) DDrain-Source on resistance R (Ω) DS(ON)Gate threshold voltage Vth(V) Drain-Source on resistance RDS(ON) (Ω) SSM3J15FV  |Yfs| - I I - V DDR DS1000 250Common Source Common Source V =0V V = -3V DS GSTa=25°C Ta=25°C 200Pulse Test Pulse Test 100 15010010 501 0-1 -10 -100 -10000 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4Drain current I (mA) DDrain-Source voltage V (V) DSt - I DC - V DS10000100 Common SourceCommon Source V = -5V DDV =0V GS V =0 to -5V GS f=1MHz Ta=25°C toff Ta=25°C 1000tf10 Ciss100tonCosstrCrss101 -0.1 -1 -10 -100-0.1 -1 -10 -100Drain Current I (mA) DDrain-Source voltage V (V) DSP - Ta D250 Mounted on FR4 board 2 (25.4mm×25.4mm×1.6 mm, Cu Pad:0.585mm ) 200 150 100 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160Ambient temperature Ta(°C)4 2014-03-01 Forward transfer admittance |Yfs| (mS) Capacitance C (pF) Power dissipation P (mW) DSwitching Time  t (ns) Drain reveres current I (mA) DRSSM3J15FV RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET