Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) Power Management Switch DC-DC Converters SSM3J14T  TOSHIBA Field Effect Transistor  Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J14T   Power Management Switch Unit: mmDC-DC Converters    
 Suitable for high-density mounting due to compact package 
 Low on Resistance : R = 145 mΩ (max) (@V = −4.5 V) on GS  : R = 85 mΩ (max) (@V = −10 V) on GS
 High-speed switching  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
30 V DS Gate-Source voltage V 20 V GSS DC I 
2.7 D Drain current A IDP Pulse 
5.4 (Note 2) P t  10 s 1.25 DDrain power dissipation W JEDEC ― (Note 1) 0.7 Channel temperature T 150 C ch JEITA ― Storage temperature range T 
55 to 150 C stg TOSHIBA 2-3S1A Note 1: Mounted on FR4 board Weight: 10 mg (typ.) 2(25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 645 mm ) Note 2: The pulse width limited by maximum channel temperature.  Marking Equivalent Circuit 3 3KDL 1 2 12 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. The Channel-to-Ambient thermal resistance Rth (ch-a) and the drain power dissipation PD vary according to the board material, board area, board thickness and pad area, and are also affected by the environment in which the product is used. When using this device, please take heat dissipation fully into account 1 2002-04-17 SSM3J14T

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) Power Management Switch DC-DC Converters