Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) Power Management Switch High Speed Switching Applications Applications    
 Small Package 
 Low on Resistance : R = 70 mΩ (max) (@V = −4 V) on GS  : R = 95 mΩ (max) (@V = −2.5 V) on GS
 Low Gate Threshold Voltage  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
12 V DS Gate-Source voltage V 8 V GSS DC I 
3.0 D Drain current A IDP Pulse 
6.0 (Note 2) PD Drain power dissipation 1.25 W JEDEC ― (Note 1)Channel temperature T 150 C JEITA ―  chStorage temperature range T 
55~150 C stg TOSHIBA 2-3S1A Note 1: Mounted on FR4 board Weight: 10 mg (typ.) 2 (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 645 mm , t  10 s) Note 2: The pulse width limited by max channel temperature.  Marking Equivalent Circuit 3 3KDH 1 2 12 Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials. The Channel-to-Ambient thermal resistance R and the drain power dissipation P vary according to th (ch-a) Dthe board material, board area, board thickness and pad area, and are also affected by the environment in which the product is used. When using this device, please take heat dissipation fully into account 1 2002-03-27 SSM3J13T

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) Power Management Switch High Speed Switching Applications