Small-signal MOSFET Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 32Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V -20 V DSS Gate-Source voltage V ± 8 V GSS DC I (Note 1) -4.6 D  Drain current A Pulse I (Note 1) -9.2 DP P (Note 2)500 D Drain power dissipation mW  t=10s 1000 1:Gate T °C Channel temperature ch 150 2:Source T °C Storage temperature range stg −55 to 150 3:Drain UFM  Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high JEDEC ― temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the JEITA ― reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute TOSHIBA 2-2U1A maximum ratings. Weight:  6.6mg (typ.) Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  Note 1: The junction temperature should not exceed 150°C during use. 2Note 2: Mounted on an FR4 board. (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm )  Marking Equivalent Circuit (top view)  3 3   JJE   1 2 1 2 Start of commercial production2008-101 2014-03-01 2.0±0.10.65±0.050.7±0.050.166±0.05+0.10.3-0.05SSM3J129TU

Small-signal MOSFET