Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. MaxUnitV I = -1 mA, V = 0 -20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-source breakdown voltage V V I = -1 mA, V = +8 V -12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cutoff current I V = -20 V, V = 0 ⎯ ⎯ -10 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±8 V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = -3 V, I = -1 mA -0.3 ⎯ -1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = -3 V, I = -1 A (Note 3) 2.4 4 ⎯ S fs DS DI = -1.0 A, V = -4 V (Note 3) ⎯ 91 130 D GSDrain-source ON-resistance R I = -0.5 A, V = -2.5 V (Note 3) ⎯ 123 172 mΩDS (ON)D GSI = -0.2 A, V = -1.8 V (Note 3) ⎯ 175 300 D GSInput capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 335 ⎯ pF iss DS GSOutput capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 70 ⎯ pF oss DS GSReverse transfer capacitance C V = -10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 56 ⎯ pF rss DS GSTurn-on time t V = -10 V, I = -1A, ⎯ 20 ⎯ on DD DSwitching time ns V = 0 to -2.5 V, R = 4.7 Ω Turn-off time t GS G ⎯ 20 ⎯ offDrain-source forward voltage V I = 2 A, V = 0      (Note 3) ⎯ 0.85 1.2 V DSF D GSNote 3: Pulse test Start of commercial production2005-081 2014-03-01 2.0±0.10.65±0.050.7±0.050.166±0.05+0.10.3-0.05SSM3J109TU Switching Time Test Circuit (a) Test circuit (b) V IN0 V10% OUT 0IN 90% −2.5 V−2.5V R LVDS (ON)90% (c) V OUT10 μs V DDV = − 10 V 10% DDV DDR = 4.7 Ω Gt tr f Duty ≤ 1% V : t , t < 5 ns IN r ft ton off Common Source  Ta = 25°C    Marking                Equivalent Circuit (top view)  3 3     JJ2    1 2 1 2   Notice on Usage V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I = -1 mA for th D this product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th GS (off)voltage than V . th(The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on).Take this into consideration when using the device.      Handling Precaution When handling individual devices that are not yet mounted on a circuit board, make sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear antistatic clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of antistatic materials.  2 2014-03-01 R GSSM3J109TU    ID - VGSID - VDS -5-10 -10 -4  Common Source  VDS = -3 V  Common Source-2.5  Ta = 25℃-4 -1  -3-0.125℃-1.8  -25℃-2 -0.01 Ta = 85℃  -1.5 -1-0.001 VGS = -1.2 V 0 -0.0001 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2 -2.2 -2.4Gate-Source Voltage  VGS (V) Drain-Source Voltage VDS (V)   RDS (ON) - TaRDS (ON) - VGS  300 300  Common Source   Common Source-0.5 A　Ta = 25℃  -1.8 V,-0.2 A250 ID = -1 A -0.2 A200200 -2.5 V,-0.5 A  150  100100VGS = -4 V,ID = -1 A  50  00-60 -35 -10 15 40 65 90 115 14001 2 3 45 6 78 9 10 Ambient Temperature  Ta ( )℃ Gate-Source Voltage  VGS (V)     Vth - TaRDS (ON) - ID -1.4300   Common Source  Common Source  Ta = 25℃  ID = -1 mAVGS = -1.8 V -1.2  VDS = -3 V250 -1 200 -0.8 -2.5 V150 -0.6 -4 V100-0.4  50-0.2  -00-25 0 25 50 75 100 125 150 0 -1 -2 -3-4-5 Ambient Temperature  Ta ( )℃Drain Current  ID (A) 3 2014-03-01 Drain Current  ID (A)Drain-Source ON-ResistanceDrain-Source ON-ResistanceRDS (ON) 　(mΩ)RDS (ON) (mΩ)Drain-Source ON-ResistanceDrain Current  ID (A)Gate Threshold Voltage Vth (V)RDS (ON)　(ｍΩ)SSM3J109TU     |Yfs| - IDIDR - VDS 1010  Common SourceCommon Source  VDS = -3 V VGS = 0  Ta = 25℃25℃Ta = 25℃ 25℃1  Ta = 85℃-25℃ -25℃1 0.1   Ta = 85℃0.01   0.0010.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4-0.01 -0.1 -1 -10Drain-Source Voltage VDS (V) Drain Current  ID (A)   t - IDC - VDS  1000 1000  Common Source   VDD = -10 V   VGS = 0  -2.5 V～  Ta = 25℃toff Ciss100  tf 100 tonCoss10 Crsstr   Common Source   VGS = 0 V  f = 1 MHz   Ta = 25℃1 100.01 0.1 1 10-0.1 -1 -10 -100 Drain Current  ID (A)Drain-Source Voltage VDS (V)     PD - TaRth - tw 10001000a: Mounted on an FR4 board 　(25.4 mm x 25.4 mm x 1.6 mm)　 b Cu pad: 25.4 mm x 25.4 mm　c800 　b: Mounted on a ceramic board 　(25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm)　Cu pad: 25.4 mm x 25.4 mm b100a 600 a　Single Pulse 　a: Mounted on a ceramic board　(25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm) 400　Cu pad: 25.4 mm x 25.4 mm 　b: Mounted on an FR4 board10　(25.4 mm x 25.4 mm x 1.6 mm) 　Cu pad: 25.4 mm x 25.4 mm　c: Mounted on an FR4 board 200　(25.4 mm x 25.4 mm x 1.6 mm)　Cu pad: 0.45 mm x 0.8 mm x 3  10 0.001 0.01 0.1 1 10 100 10000 20 40 60 80 100 120 140 160Pulse Width tw　(S) Ambient Temperature Ta (°C) 4 2014-03-01 Drain Power Dissipation PD (mW)Capacitance  C (pF)Forward Transfer Admittance  |Yfs| (S)Switching Time  t (ns)Transient Thermal Impedance Rth (°C/W)Drain Reverse Current   IDR (A)SSM3J109TU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET