Small-signal MOSFET Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Test Conditions Min Typ. MaxUnitV  I = −1 mA, V = 0 −20 ⎯ ⎯ (BR) DSS D GSDrain-Source breakdown voltage V V  I = −1 mA, V = +8 V −12 ⎯ ⎯ (BR) DSX D GSDrain cut-off current I V = −20 V, V = 0 ⎯ ⎯ −10 μA DSS DS GSGate leakage current I V = ±8V, V = 0 ⎯ ⎯ ±1 μA GSS GS DSGate threshold voltage V V = −3 V, I = −1 mA −0.3 ⎯ −1.0 V th DS DForward transfer admittance ⏐Y ⏐ V = −3 V, I =− 0.8 A (Note3) 1.9 3.2 ⎯ S fs DS DI = −0.8 A, V = −4.0 V (Note3) ⎯ 125 158 D GSDrain-Source on-resistance R I = −0.4 A, V = −2.5 V (Note3) ⎯ 170 230 mΩ DS (ON)D GSI = −0.1 A, V = −1.8 V (Note3) ⎯ 230 363 D GSInput capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 250 ⎯ pF iss DS GSpF Output capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 45 ⎯ oss DS GSpF Reverse transfer capacitance C V = −10 V, V = 0, f = 1 MHz ⎯ 35 ⎯ rss DS GSTurn-on time t ⎯ 12 ⎯ onV = −10 V, I = −0.25 A, DD DSwitching time ns V = 0 to −2.5 V, R = 4.7 Ω GS G Turn-off time t 18 ⎯ ⎯ offDrain-Source forward voltage V I = 1.8A, V = 0 V        (Note3) 0.85 1.2 V ⎯ DSF D GSNote3: Pulse test Start of commercial production2005-021 2014-03-01 2.0±0.10.65±0.050.7±0.050.166±0.05+0.10.3-0.05SSM3J108TU Switching Time Test Circuit  (a) Test circuit  (b) V IN0 VOUT 10%0  IN  90%  −2.5V R L −2.5 V 10 μs  V DD(c) V VOUT DS (ON)90%  V = -10 V DD R = 4.7 Ω G 10% Duty ≤ 1% V DD t tr f V : t , t < 5 ns IN r f Common Source t t on off Ta = 25°C   Marking                Equivalent Circuit (top view) 3 3     JJ1    1 2 12  Precaution V can be expressed as the voltage between gate and source when the low operating current value is I =−1mA for th Dthis product. For normal switching operation, V  requires a higher voltage than V and V requires a lower GS (on) th, GS (off)voltage than Vth. (The relationship can be established as follows: V < V < V ) GS (off) th GS (on)Take this into consideration when using the device.    Handling Precaution When handling individual devices which are not yet mounted on a circuit board, be sure that the environment is protected against electrostatic discharge. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.          2 2014-03-01 R GSSM3J108TU  ID - VGSID - VDS10-5-10 -4.01-4Ta=85°C0.1-3-2.5-2 0.01-1.825°C-25°C-1 0.001-1.5Common SourceCommon SourceTa=25°C VDS=-3VVGS=-1.2V-0 0.0001-0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 01 2Gate-Source voltage VGS (V)Drain-Source voltage VDS (V)RDS(ON) - VGSRDS(ON) - Ta400300Common SourceCommon Source350Ta=25°C250-0.8A300200-1.8V,-0.1A250-0.4A150200ID=-0.1A -2.5V,-0.4A150100VGS=-4V,ID=-0.8A100505000-0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160Gate-Source voltage VGS (V)Ambient temperature Ta( )℃RDS(ON) - IDVth - Ta400-1Common Source350ID=-1mA-0.8VDS=-3V300-1.8V250-0.6200-2.5V -0.4150VGS=-4V100-0.2Common Source50Ta=25°C-00-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160-0 -1 -2 -3 -4 -5Ambient temperature Ta(°C)Drain current ID (A)3 2014-03-01 Drain-Source on-resistanceDrain-Source on-resistanceRDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ)Drain current ID (A)Drain-Source on-resistanceDrain Current ID (A)Gate threshold voltage Vth(V) RDS(ON) (mΩ)SSM3J108TU  |Yfs| - IDIDR - VDS10.0-10Common SourceVGS=0VTa=25°C25°C-1-25°C25°CTa=85°C -25°C1.0-0.1Ta=85°C-0.01Common SourceVDS=-3VTa=25°C0.1-0.001-0.01 -0.1 -1 -100 0.2 0.4 0.6 0.8 1Drain-Source voltage VDS (V)Drain current ID (A)t - IDC - VDS10001000Common SourceVDD=10VVGS=0 to 2.5Vtoff Ta=25°CCiss100tf100ton10Common SourceCosstrVGS=0VCrssf=1MHzTa=25°C10 10.1 1 10 100 -0.01 -0.1 -1 -10Drain current ID (A)Drain-Source voltage VDS (V)PD - Ta Rth - tw10001000a: mounted on FR4 board(25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mmcbb:mounted on ceramic board800(25.4mm×25.4mm×0.8mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mm b100a600Single pulseaa:Mounted on ceramic board(25.4mm×25.4mm×0.8mm)400Cu Pad :25.4mm×25.4mmb:Mounted on FR4 board10(25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :25.4mm×25.4mm200c:Mounted on FR4 Board(25.4mm×25.4mm×1.6mm)Cu Pad :0.45mm×0.8mm×3100.001 0.01 0.1 1 10 100 10000 20 40 60 80 100 120 140 160Pulse w idth tw (S)Ambient temperature Ta(°C)4 2014-03-01 Forward transfer admittanceDrain power dissipation PD(mW)Capacitance C (pF) |Yfs| (S)Transient thermal impedance Rth(°C/W)Drain reverse current IDR (A)Switching time t (ns)SSM3J108TU RESTRICTIONS ON PRODUCT USE • Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. • This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. • Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use the Product, create designs including the Product, or incorporate the Product into their own

Small-signal MOSFET