Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Applications    
 Component package suitable for high-density mounting 
 Small Package 
 Low ON Resistance : R = 0.5 Ω (max) (@V = −4 V) on GS  : R = 0.7 Ω (max) (@V = −2.5 V) on GS
 Low-voltage operation possible  Maximum Ratings (Ta 



 25°C)    Characteristic Symbol Rating Unit Drain-Source voltage V 
30 V DSGate-Source voltage V 10 V GSSDC I 
1.5 DDrain current A IDP Pulse 
3.0 (Note2) PD JEDEC ― Drain power dissipation (Ta  25C) 1250 mW (Note1)JEITA ― Channel temperature T 150 C chStorage temperature range T 
55 to 150 C TOSHIBA 2-3S1A stgWeight: 10 mg (typ.) Note1: Mounted on FR4 board  (25.4 mm  25.4 mm  1.6 t, Cu pad: 645 mm2, t  10 s) Note2: The pulse width limited by max channel temperature.  Marking Equivalent Circuit  3 3D D 1 2 12  Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2002-01-17 SSM3J02T

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications