Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Applications    
 Small package 
 Low on resistance : R = 0.5 Ω (max) (@V = −4 V) on GS  : R = 0.7 Ω (max) (@V = −2.5 V) on GS
 Low gate threshold voltage   Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 
30 V DSGate-source voltage V 10 V GSSDC I 
600 DDrain current mA Pulse I 
1200 DP Drain power dissipation (Ta  25°C) P 200 mW D JEDEC TO-236MOD Channel temperature T 150 °C ch JEITA SC-59 Storage temperature range T 
55~150 °C stg TOSHIBA 2-3F1F   Weight: 0.012 g (typ.)  Marking  Equivalent Circuit      Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounted on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2003-03-27 SSM3J02F

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications