Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Applications Unit: mm   
 Small package 
 Low on resistance : Ron = 0.4 Ω (max) (V = −4 V) GS  : Ron = 0.6 Ω (max) (V = −2.5 V) GS
 Low gate threshold voltage  Maximum Ratings  (Ta 



 25°C)Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V 
30 V DSGate-source voltage V 10 V GSSDC I 
700 DDrain current mA Pulse I 
1400 DPDrain power dissipation (Ta  25°C) P 200 mW D Channel temperature T 150 °C ch  Storage temperature range T 
55~150 °C stg JEDEC TO-236MOD  JEITA SC-59  TOSHIBA 2-3F1F Weight: 0.012 g (typ.) Marking  Equivalent Circuit      Handling Precaution When handling individual devices (which are not yet mounting on a circuit board), be sure that the environment is protected against electrostatic electricity. Operators should wear anti-static clothing, and containers and other objects that come into direct contact with devices should be made of anti-static materials.  1 2003-03-27 SSM3J01F

Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications