SSM2220

SSM-2220
PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Vca " 0V, -369
Current Gain h 'c = 1mA 80 165 -
(Note 1) FE 1c--10thsA 70 150 -
'c " 10pA 60 120 -
Current Gain Matching a
(Note 2) AhFE 'c = 100pA, Vce " ov 0.5 6 /.
let: 1,1134%” = 0V 0 8 2
= 2 - .
' F o
Noise Voltage Density 9 f s 100Hz - 0.7 l nv/VTE
(Note 3) N 0
f0 = 1kHz - 0.7 1
l, = 10kHz - 0.7 1
Offset Voltage q -
(Note 4) Vos Va, = OV, 'c = 00pA 40 200 “v
I " 100M
Offset Voltage Change c _ -
vs. Collector Voltage AVos’AVca ch - 0V 1 1 200 W
Vcaz " -369
Offset Voltage Change Vca = ov -
vs. Collector Current AVOS/AIC lc, = 10M. 'c2 = 1mA 12 75 W
Offset Current los Ic = 100M, Vca = 0V - 6 45 nA
Collector-Base
Leakage Current G, Vca " -36V = VMAX - 50 400 pA
V " 0V
' ca ' _
Bulk Resistance rise 10PA s; 'c s1mA 0.3 0.75 n
Collector Saturation
Voltage Vcasm 'c = 1mA, ' " 1thhsA - 0.026 0.1 v

NOTES:
1. Current gain is measured at collector-base voltages (Vca) swept from O to

VMAX at indicated collector current. TypicaIs are measured at Vca = 0V.

2. Current gain matching (AhFE) is defined as:

_100(Ala) hFE(MIN)
lc

3. Sample tested. Noise tested and specified as equivalent input voltage for
each transistor.

AhFE

4. Offset voltage is defined as:

Vos = V351 - Vssz'

where Vos is the differential voltage for

'02 =IC2 :Vos =VBEI -Htt5g .E In "C1
q (C21

ELECTRICAL