600V N-Channel B-FET The **SSI10N60BTU** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SSI10N60BTU** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power supply, motor control, and inverter circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

600V N-Channel B-FET