Advanced Power MOSFET The SSH9N80A is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications up to 800V.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with low conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  
- **TO-220F Package:** Standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SSH9N80A.

Advanced Power MOSFET