SSH70N10A

Advanced Power MOSFET The SSH70N10A is a power MOSFET manufactured by FAI. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The SSH70N10A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable construction  
- Suitable for high-power applications such as motor drives, power supplies, and inverters  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official FAI datasheet.

Advanced Power MOSFET