N-CHANNEL POWER MOSFETS The SSH20N50 is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** TO-247  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, inverters, and high-voltage circuits.  
- **Features:**  
  - High voltage capability (500V)  
  - Low on-resistance for reduced conduction losses  
  - Fast switching speed  
  - Improved dv/dt capability  
  - Avalanche energy specified  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official SEC documentation.

N-CHANNEL POWER MOSFETS