BV(dss): 600V / R(ds): 0.8Ohm / I(d): 10A / advanced power MOSFET The SSH10N60A is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SSH10N60A is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Low on-resistance**  
- **Improved dv/dt capability**  
- **Avalanche energy specified**  
- **100% avalanche tested**  

This information is based on FAIRCHILD's datasheet for the SSH10N60A.

BV(dss): 600V / R(ds): 0.8Ohm / I(d): 10A / advanced power MOSFET