PNP Epitaxial Silicon Transistor The SS8550DBU is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85–160 (at I_C = -500mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-89  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications.  
- Compact SOT-89 surface-mount package for space-constrained designs.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from FSC.

PNP Epitaxial Silicon Transistor

PNP Epitaxial Silicon Transistor The SS8550DBU is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by FAIRCHILD.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -25V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85–160 (at I_C = -500mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-89  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power and medium-speed switching.  
- Compact SOT-89 package for space-constrained applications.  
- Compliant with RoHS standards.  

This information is based on FAIRCHILD's datasheet for the SS8550DBU transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor