SS8550-D

PNP Silicon Transistors The SS8550-D is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by SAMSUNG. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -1.5A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 85 to 160 (at IC = 500mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SS8550-D is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  
- Commonly used in audio amplifiers, signal processing, and low-power switching circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT).  
- Robust construction for reliable performance in various electronic circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the SS8550-D transistor.

PNP Silicon Transistors