**Part Number:** SS8050DTA  

**Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85-300 (at I_C = 500mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions:**  
The SS8050DTA is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

**Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching capability  
- Suitable for low-power applications  
- RoHS compliant  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)