NPN Epitaxial Silicon Transistor The SS8050DBU is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **FAIRCHILD**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 6V  
- **Collector Current (IC):** 1.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** 85-300 (at IC = 500mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-89  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications.  
- Compact SOT-89 package for space-saving designs.  
- RoHS compliant.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the SS8050DBU transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor