SS32B

Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage 20 to 150 V Forward Current 3.0 A The SS32B is a Schottky barrier diode manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 3A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 80A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 20V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.5V (typical at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum at VR = 20V)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +125°C  
- **Storage Temperature Range (Tstg):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SS32B is a high-efficiency Schottky diode designed for low-voltage, high-frequency applications.  
- It is commonly used in power rectification, switching power supplies, and reverse polarity protection circuits.  
- The diode features a low forward voltage drop, reducing power loss and improving efficiency.  

### **Features:**
- **Low Forward Voltage Drop:** Enhances energy efficiency.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for transient conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Ideal for high-frequency applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

For detailed mechanical and packaging information, refer to Toshiba’s official datasheet.

Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Reverse Voltage 20 to 150 V Forward Current 3.0 A