Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET The part **SQJ848AEP** is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SQJ848AEP  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A per channel  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.055Ω (max) at VGS = 10V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SQJ848AEP** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling capability** (10A per channel)  
- **Optimized for fast switching**  
- **PowerPAK® SO-8 package** for improved thermal performance  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications  

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