for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW47N60C2** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 47 A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.065 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **SPW47N60C2** is a **N-channel MOSFET** designed for high-power switching applications, offering low on-state resistance and high switching performance. It is optimized for efficiency in power supplies, motor drives, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Fast switching** with low gate charge (Q_g)  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (47 A continuous)  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on Infineon's datasheet and technical documentation.