for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPW35N60C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 650 V  
- **Current Rating (I_D):** 35 A (at 25°C)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.065 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The SPW35N60C3 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It utilizes Infineon’s advanced CoolMOS™ C3 technology, which provides low conduction and switching losses.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Efficiency:** Due to low gate charge and improved switching characteristics.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy pulses.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon’s datasheet and technical documentation for the SPW35N60C3 MOSFET.