for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPW32N50C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 32 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 128 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPW32N50C3 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s CoolMOS™ C3 family, optimized for efficiency in power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500 V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Improved Thermal Performance:** Robust design for better heat dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on Infineon’s datasheet and technical documentation for the SPW32N50C3 MOSFET.