for lowest Conduction Losses The **SPW20N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 650 V  
- **Current Rating (ID):** 20 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (PD):** 230 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** CoolMOS™ S5 (Superjunction MOSFET)  

### **Description:**  
The **SPW20N60S5** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for efficient switching applications. It is part of Infineon’s **CoolMOS™ S5** family, which offers low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Minimizes conduction losses.  
- **High Switching Speed:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces driving losses.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Improved Thermal Performance:** TO-247 package ensures efficient heat dissipation.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), PFC (Power Factor Correction), and industrial applications** requiring high efficiency and reliability.