for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW20N60CFD** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the factual information available:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600 V  
- **Current Rating (ID):** 20 A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 230 W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19 Ω (max at VGS = 10 V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 3.5 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 240 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 25 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **SPW20N60CFD** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is part of Infineon’s **CoolMOS™ CFD** series, optimized for efficiency and performance in power conversion systems.  
- The device is housed in a **TO-247** package, ensuring good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances conduction efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Capable of handling high-energy pulses.  
- **Improved Body Diode:** Provides better reverse recovery characteristics.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly design.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet and technical documentation for the **SPW20N60CFD** MOSFET.