for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPW20N60C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (typical) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SPW20N60C3 is a **CoolMOS™ C3** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control.  
- The device is housed in a **TO-247** package for high power dissipation.  

### **Features:**  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Low gate charge (Q_g)** for reduced driving losses.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **Optimized for soft switching** in resonant topologies.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the SPW20N60C3.