for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW20N60C2** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 20A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 280pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-247** (3-pin through-hole package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High voltage capability** (600V) for power switching applications.  
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Low on-resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  
- **Optimized for high-efficiency power conversion** in applications like SMPS, inverters, and motor drives.  
- **Improved thermal performance** due to TO-247 package design.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPW20N60C2 MOSFET.