for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW15N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 140 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
The **SPW15N60C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600 V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.