**Part Number:** SPW12N50C3  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C3  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55 ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** High avalanche ruggedness and improved thermal performance.  
- **CoolMOS™ C3 Technology:** Delivers superior performance in power conversion applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and industrial applications.  

(Data sourced from Infineon’s official documentation.)