for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPW11N60CFD is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 11A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.45Ω @ 10V, 5.5A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** CoolMOS™ C3 (Superjunction MOSFET)  

### **Descriptions:**  
- The SPW11N60CFD is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications.  
- It is part of Infineon’s CoolMOS™ C3 family, optimized for efficiency and reduced switching losses.  
- Suitable for applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces drive losses.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.