for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW11N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The **SPW11N60C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, fast switching performance, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.