for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPW11N60C2** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min), 4.5 V (typ), 5.5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SPW11N60C2 is a **N-channel MOSFET** designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for **efficiency and reliability** in power conversion circuits, such as **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), motor control, and inverters**.

### **Features:**
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Low gate charge** for reduced drive losses.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced durability.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for minimized conduction losses.  
- **TO-247 package** for effective thermal management.  
- **Halogen-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is suitable for applications requiring **high voltage handling, fast switching, and low power dissipation**.