Low Voltage MOSFETs The SPU30N03S2-08 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPU30N03S2-08  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The SPU30N03S2-08 is a high-performance N-channel MOSFET optimized for power management applications.  
- It is designed for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal power loss and high efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 80A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.