N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPU23N05 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The SPU23N05 is a high-performance N-channel MOSFET optimized for low on-resistance and high current handling in power applications.  
- It is designed for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 23A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

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