N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPU08N10 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPU08N10 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPU08N10 MOSFET. For detailed application notes, refer to the official documentation.