for lowest Conduction Losses The SPU02N60S5 is a power MOSFET manufactured by SIEMENS (now Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SIEMENS (Infineon Technologies)  
- **Part Number:** SPU02N60S5  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 8A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 5Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  
### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Fast switching characteristics.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.