### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Robust thermal performance with a high power dissipation rating.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications in your application.)