Low Voltage MOSFETs The **SPP80N10L** is an N-channel MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (min), 4 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200 pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **SPP80N10L** is a **logic-level** N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5 V or 10 V gate signals.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in **switching power supplies, motor drives, and automotive applications** where high current handling and low power losses are critical.