Low Voltage MOSFETs The **SPP80N08S2L-07** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **R_DS(on) (Max):** 7.0 mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (Min), 4V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (Typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The **SPP80N08S2L-07** is a **high-performance N-channel MOSFET** designed for **power switching applications**.  
- It features **low on-state resistance (R_DS(on))** and **high current handling capability**, making it suitable for **efficient power conversion**.  
- The device is **optimized for low gate charge**, ensuring **fast switching performance** in high-frequency applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (80A continuous, 320A pulsed).  
- **Fast switching speed** due to low gate charge.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the **SPP80N08S2L-07** MOSFET.