Low Voltage MOSFETs The SPP80N06S2L-07 is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 7.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The SPP80N06S2L-07 is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It offers low on-state resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **Optimized for synchronous rectification**  
- **TO-252 (DPAK) package** for efficient thermal performance  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPP80N06S2L-07.