N-Channel OptiMOS Power Transistor The **SPP80N06S2-09** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
- The **SPP80N06S2-09** is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 80A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for efficient switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, power supplies, and battery management systems**.  

*(Source: Infineon Datasheet for SPP80N06S2-09)*